可配置,User Option 256x8b 数据 EEPROM
数据 EEPROM 在应用编程
可配置,Factory Option 高耐用性 EEPROM
程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作
EEPROM 保存时间>40 年
256x8b SRAM
1 x 带 8 位预分频的定时器 0
1 x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1
1 x 带 8 位预分频的
定时器 2.
慢时钟周期测量模式
增强性捕捉、比较和可编程―死区‖时间的 PWM 模块
时钟源可选:系统时钟或者是内部 32MHz 时钟
单次脉冲模式
3 对带―死区‖的 PWM 输出
4x12bit Timer,4x12bit PWM,支持 BUZZER 模式
支持每组 PWM 的互补脉冲输出
时钟可达32M
外设时钟输出
1x9bit 可编程脉冲发生器(PPG)
两个重载寄存器
脉冲极性可选择
支持脉宽限制
支持不可重复触发模式
手动触发方式和比较器结果触发方式
带 7 位预分频的 WDT,溢出频率范围为 16ms~256s
上电延迟计数器 PWRT
低功耗模式 SLEEP
多个唤醒源,外部中断 INT、端口变化中断、WDT 和数据 EEPROM 写完成,等等
可配置硬件去抖的外部中断 INT
内置高速 16M RC 振荡器
内置低速 32K RC 振荡器
支持外部晶振 16M 或 32K,以及外部时钟模 式
时钟缺失检测
双速启动模式
内置 10 位的 ADC,支持 8 个通道(7 个外部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道)
参考电压可选:外部 Vref,VDD,内部2V/3V
可配置,Factory Option
内置 6 个高速高精度比较器
可编程的参考电压
比较结果可直接输出
比较结果可配置去抖
输入失调电压可校准
迟滞控制(比较器 0/1/2/3)
1x 运算放大器,支持软件校准输入失调电压
低电压复位 LVR:2.0V/2.2V/2.8V
低电压检测 LVD:2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V
3 对 USB 充电端口:
X充电端口 DC+/DC-
充电下行端口 DA+/DA-,DB+/DB-
支持 QC2.0 和 QC3.0 以及苹果、三星设备
可同时对两个设备充电
集成 D2I 模块
18 个通用 IO,20 个芯片管脚
所有 IO 带X立上拉控制
4 个 IO 带X立下拉控制
下降沿中断,RA0~RA7
支持在系统编程 ICSP
支持在线调试,3 个硬件断点
程序空间保护
工作电压范围:2.0V~ 5.5V
时钟工作频率:16MHz
FSYS=8MHz(2T mode): 2.0V~5.5V
FSYS=16MHz(2T mode): 2.7V~5.5V
封装类型:SOP14, SOP16, SOIC20, SSOP20