特性
• 8 层硬件堆栈x11bit
•2T 或4T 指令周期
•2Kx14b 程序存储空间(16bytes/page)
• 256x8b 数据EEPROM(16bytes/page)
• 数据EEPROM 在应用编程
• 128x8b SRAM
• 1 x 带8 位预分频的定时器0
• 1 x 带8 位预分频的定时器2
• 带7 位预分频的WDT,溢出频率约为16ms~2048ms
• 上电延迟计数器PWRT
• 低功耗模式SLEEP
• 多个唤醒源,INT、端口变化中断、WDT、数据EEPROM 写完成,等等
• 内置高速16M RC 振荡器
• 内置低速32K RC 振荡器
• 支持外部晶振16M 或32K,以及外部时钟模式
•时钟缺失检测
•双速启动模式(晶体或外部时钟模式下)
• 内置2 个高速高精度比较器
• 可编程的片上参考电压
• 比较结果可直接输出
• X多16 个通用IO,18 根芯片管脚
• 7 个IO 带X立上拉控制
• 端口变化中断,RA0~RA7
• 支持在系统编程ICSP
• 支持在线调试
• 程序空间保护
• 工作电压范围:1.8V~ 5.5V
• X大时钟工作频率:16MHz
• 封装类型:SOP14,SOP18
• X多16 个通用IO,18 根芯片管脚
• 7 个IO 带X立上拉控制
• 端口变化中断,RA0~RA7
• 支持在系统编程ICSP
• 支持在线调试
• 程序空间保护
• 工作电压范围:1.8V~ 5.5V
• X大时钟工作频率:16MHz